【湖北招商】国家存储器基地项目突破64层三维闪存量产助力集成电路产业升级-湖北产业园区

【湖北招商】国家存储器基地项目突破64层三维闪存量产助力集成电路产业升级

招商项目

所属地区：湖北发布日期：2025年07月15日

国家存储器基地项目作为湖北省武汉市招商引资的重大成果，通过自主创新成功实现64层三维闪存产品量产，标志着中国在高端存储芯片领域取得重要突破。该项目通过产业链协同和技术攻关，不仅提升了国产存储器的核心竞争力，还带动了区域集成电路产业集群发展，为物联网、5G等新兴领域提供了关键支撑。
一、核心技术突破实现量产里程碑
2019年，国家存储器基地项目基于自主知识产权完成64层三维闪存芯片的研发与量产，填补了国内高端存储芯片领域的空白。该技术采用创新的堆叠架构，将存储单元垂直排列至64层，显著提升存储密度和性能，达到国际主流水平。量产过程中，项目团队攻克了高深宽比刻蚀、多层薄膜沉积等关键技术难题，良品率稳步提升，为后续产能爬坡奠定基础。
二、产业链协同构建创新生态
项目联合国内70余家集成电路企业、科研院所成立半导体三维集成制造创新中心，形成覆盖设计、制造、封测的全产业链合作网络。通过组建中国半导体三维集成制造产业联盟，推动上下游技术标准统一和资源共享，加速国产替代进程。此外，武汉新芯集成电路制造有限公司作为技术载体，聚焦物联网、人工智能芯片研发，进一步延伸产业链价值。
三、产能提升计划与区域经济带动
项目一期产能建设分为两个阶段：优先实现64层闪存月产能10万片，随后逐步扩展至30万片/月。规模化生产显著降低单位成本，增强国际市场竞争力。据统计，项目已吸引超过200家配套企业落户武汉，形成从材料、设备到芯片设计的产业集群，带动湖北省集成电路产业规模同比增长超20%，成为长江经济带电子信息产业的重要支点。
四、人才战略支撑长期发展
针对芯片行业人才缺口，湖北省出台专项政策，联合高校增设微电子学科，定向培养集成电路领域硕士、博士研究生。武汉光谷集成电路产业园设立实训基地，年培训技术人才超5000人次。项目方还与海外顶尖研究机构建立联合实验室，引进高端技术团队，确保创新可持续性。
五、未来布局瞄准新兴市场
基于5G和物联网市场需求，国家存储器基地将研发高可靠性特种存储器、低功耗智能芯片等产品。武汉新芯计划投资建设12英寸晶圆生产线，进一步巩固在传感器芯片领域的领先地位。项目二期规划已纳入国家“十四五”集成电路产业纲要，目标建成全球领先的存储器创新中心。
通过核心技术自主化、产业链本土化和人才梯队建设，国家存储器基地项目不仅实现64层三维闪存的量产突破，更推动中国集成电路产业从跟跑向并跑转变。这一案例为区域经济转型升级提供了示范，也为全球供应链多元化贡献了中国方案。

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