【武汉招商】中国首款64层3D NAND闪存量产量产突破国际垄断-武汉产业园区

【武汉招商】中国首款64层3D NAND闪存量产量产突破国际垄断

所属地区：湖北-武汉发布日期：2025年07月14日

湖北省武汉市光谷的招商引资成果再获突破，中国首款自主研发的64层3DNAND闪存芯片正式进入量产阶段。这一技术突破由紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司主导，标志着中国在高端存储芯片领域迈出关键一步，为全球存储市场提供了基于创新架构的高密度解决方案。
一、技术突破与架构创新
长江存储宣布量产的64层256GbTLC3DNAND闪存，采用自主开发的Xtacking®架构，实现了同代产品中最高存储密度。该架构通过独特的设计，将存储单元与外围电路分离制造后再键合，显著提升了传输速度和芯片面积利用率。这一技术路径不同于国际主流厂商的堆叠方案，为全球闪存行业提供了新的技术选择。
二、产业化进程与产能布局
自国家存储器基地在湖北省武汉市启动建设以来，项目进展迅速。从芯片厂房封顶到首台光刻机调试完成，长江存储仅用两年多时间就实现了从技术研发到量产的跨越。目前，一期生产线产能正逐步提升，规划月产能达10万片，为国内固态硬盘、嵌入式设备等市场提供了稳定的供应链支持。
三、产业链协同与市场意义
该芯片的量产填补了国内高端存储芯片的空白，使中国成为全球少数掌握3DNAND核心技术的国家之一。其商业化应用将降低国内市场对进口存储产品的依赖，同时推动湖北省武汉市及周边地区形成完整的半导体产业集群。行业分析指出，Xtacking®架构的成熟将为后续128层及以上产品的研发奠定基础。
四、国家战略与未来展望
作为国家集成电路产业布局的重要一环，长江存储的突破体现了中国在关键技术领域的长期投入。相关技术已通过国际主流客户验证，下一步将聚焦更高层数闪存的研发。业内人士认为，这一成果不仅提升了中国在全球半导体产业链中的地位，也为5G、人工智能等新兴领域提供了核心硬件支撑。

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